描述
LAM 839-101612-885等离子体射频模块
LAM 839-101612-885：这款射频发生器（RF Generator），是LAM Research（泛林集团）半导体刻蚀设备的关键功率组件！工作频率为13.56MHz，输出功率范围0~1000W，具备**自动阻抗匹配（Auto-Matching）**功能。专为Reactive Ion Etch(RIE)和Plasma Etch工艺设计，确保等离子体稳定生成与精确控制。我们提供原厂品质保障与专业技术支持，适用于LAM 2300、4500等系列刻蚀系统。
LAM 839-101612-885产品概述
在半导体制造领域，LAM 839-101612-885是LAM Research（泛林集团）旗下刻蚀设备中使用的高频射频发生器模块，主要应用于反应离子刻蚀（RIE）和等离子体刻蚀（Plasma Etch）工艺。它不是普通的电源，而是为在真空腔体内激发和维持等离子体而设计的精密射频功率源，是决定刻蚀速率、均匀性和选择比的关键设备之一。
该模块通常集成在LAM的2300系列或4500系列刻蚀机台中，作为主射频电源（通常为13.56MHz）或偏置射频电源（Bias RF）使用。它负责将直流电转换为高频交流电，通过匹配网络（Matching Network）馈入刻蚀腔体，在气体（如CF₄、O₂、Cl₂等）中产生高能等离子体，从而实现对硅片表面材料的精确去除。
LAM 839-101612-885的核心价值在于其稳定性、精度和可靠性。在纳米级芯片制造中，任何射频功率的微小波动都可能导致刻蚀深度不均或侧壁角度偏差，进而影响芯片性能和良率。因此，该射频发生器具备极低的输出纹波和高响应速度，确保工艺过程的高度可重复性。
主要特点和优势
高精度射频功率控制：
工作频率：13.56MHz（工业、科学和医疗ISM频段标准频率）。
输出功率范围：0~1000W，可编程调节，分辨率高达0.1W。
功率稳定性：±1%以内，确保每片晶圆的刻蚀条件一致。
快速响应：闭环反馈控制，可在毫秒级内调整输出以补偿负载变化。
集成自动匹配网络：
内置或外接自动阻抗匹配器（Auto-Matching Network），实时调整电路阻抗，确保最大功率传输到等离子体负载。
匹配速度快，通常在100ms内完成，减少工艺启动时间。
支持多种气体和工艺条件下的稳定匹配，适应复杂工艺流程。
先进的诊断与通信功能：
实时监测前向功率（Forward Power）、反射功率（Reflected Power）、电压驻波比（VSWR）等关键参数。
当反射功率过高（>10%）时，自动降功率或关断，保护射频管和匹配网络。
支持SECS/GEM通信协议，可通过工厂自动化系统（如MES）远程监控和控制。
内置故障日志和自诊断功能，便于快速定位问题。
工业级可靠性设计：
采用高可靠性元器件（如MOSFET/RF晶体管），支持24/7连续运行。
强制风冷或水冷散热设计，确保长时间高负载工作不降额。
符合SEMI S2/S8安全标准，具备过压、过流、过热、电弧保护等多重安全机制。
电磁兼容性（EMC）优异，避免对周边精密设备造成干扰。
The LAM 839-101612-885 is a high-precision RF generator designed for plasma-based etching processes in semiconductor manufacturing.Delivering stable 13.56MHz RF power up to 1000W,it ensures consistent plasma generation and precise process control in LAM etch tools such as the 2300 and 4500 series.
Engineered for maximum uptime and process repeatability,the 839-101612-885 features integrated impedance matching,real-time power monitoring,and advanced protection circuits.Its compatibility with SECS/GEM enables seamless integration into smart fabs,supporting Industry 4.0 initiatives.Trusted in high-volume production environments,it plays a critical role in achieving nanometer-scale etch accuracy and high wafer yield.
839-101612-885技术规格
参数名称参数值
产品型号839-101612-885
制造商LAM Research(泛林集团)
产品类型射频发生器(RF Generator)
应用设备LAM 2300,LAM 4500等刻蚀机
工作频率13.56 MHz±0.01%
输出功率0~1000 W(可调)
功率稳定性±1%
匹配方式自动阻抗匹配(Auto-Matching)
冷却方式强制风冷或水冷
输入电源208-240VAC,3-phase
通信接口RS-232/RS-485,SECS/GEM
监测参数Forward Power,Reflected Power,VSWR,Voltage,Current
保护功能过压、过流、过热、电弧、高反射功率保护
工作温度15°C~35°C
存储温度-20°C~60°C
符合标准SEMI S2,SEMI S8,CE,UL
